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IXYS Raddrizzatore a ponte controllabile SCR, FO F A, 6 Pin, 32A, 1600V, Montaggio a pannello

IXYS Raddrizzatore a ponte controllabile SCR, FO F A, 6 Pin, 32A, 1600V, Montaggio a pannello, Tipo tiristore: Modulo SCR, Sovracorrente nominale: 0.33kA, Corrente di gate trigger massima: 65mA, Tensione di gate trigger massima: 1V, Corrente massima di holding: 100mA, Dimensioni: 63 x 31.6 x 21mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione on-state di picco: 1.6V, MPN: VHF28-16IO5

EUR 25.97

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IXYS Raddrizzatore a ponte controllabile SCR, FO F A, 6 Pin, 32A, 1600V, Montaggio a pannello

IXYS Raddrizzatore a ponte controllabile SCR, FO F A, 6 Pin, 32A, 1600V, Montaggio a pannello, Tipo tiristore: Modulo SCR, Sovracorrente nominale: 0.33kA, Corrente di gate trigger massima: 65mA, Tensione di gate trigger massima: 1V, Corrente massima di holding: 100mA, Dimensioni: 63 x 31.6 x 21mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione on-state di picco: 1.6V, MPN: VHF28-16IO5

EUR 28.17

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IXYS Relè a stato solido LCB127S, Montaggio superficiale, 0,3 A, ca / cc, SP-NC

IXYS Relè a stato solido LCB127S, Montaggio superficiale, 0,3 A, ca / cc, SP-NC, Tipo di terminale: Pin per circuito stampato, Uscita: MOSFET, Package: Dimensioni ridotte - a 6 pin, Tempo max. di attivazione: 5 ms, Dimensioni: 8.382 x 6.35 x 3.302mm, Tipo di relè: OptoMOS, Capacità: 50pF, Profondità: 6.35mm, Altezza: 3.3mm, Lunghezza: 8.38mm

EUR 3.49

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IXYS Relè a stato solido CPC1963GS, Montaggio superficiale, 0,5 A rms, c.a., SP-NC

IXYS Relè a stato solido CPC1963GS, Montaggio superficiale, 0,5 A rms, c.a., SP-NC, Corrente minima di carico: 0,005 A rms, Tensione minima di controllo: 20 V rms, Tensione di controllo massima: 260 V rms, Tipo di terminale: Pin per circuito stampato, Uscita: Interruttore di alimentazione, Tempo max. di attivazione: 0,5 cicli, Gamma tensione di controllo: 20 → 260 V rms, Dimensioni: 9.652 x 6.35 x 3.302mm, Tipo di relè: Relè di potenza, Capacità: 3pF

EUR 4.57

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IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 40 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 40 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 625 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.6mm, Lunghezza: 38.23mm, MPN: IXFN48N60P

EUR 20.60

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IXYS MOSFET, canale N, 24 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 24 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 9.6mm, Lunghezza: 38.2mm, MPN: IXFN140N30P

EUR 31.23

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IXYS MOSFET, canale N, 24 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 24 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN140N30P

EUR 31.86

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IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 40 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 40 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 625 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN48N60P

EUR 25.10

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IXYS MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 192 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 192 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,5 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN210N30P3

EUR 42.51

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IXYS MOSFET, canale N, 18 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 18 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 680 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 9.6mm, Lunghezza: 38.23mm, MPN: IXFN140N20P

EUR 21.90

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IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN36N100

EUR 66.57

1

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN46N50L

EUR 55.15

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IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 40 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 40 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 625 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN48N60P

EUR 24.34

1

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 960 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN100N50Q3

EUR 54.00

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IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN46N50L

EUR 56.36

1

IXYS MOSFET, canale N, 390 mΩ, 24 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 390 mΩ, 24 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 568 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN24N100

EUR 45.55

1

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN36N100

EUR 62.53

1

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 960 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN100N50Q3

EUR 57.88

1

IXYS MOSFET, canale N, 390 mΩ, 24 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 390 mΩ, 24 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 568 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN24N100

EUR 42.10

1

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 53 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 53 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN60N80P

EUR 34.66

1

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 53 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 53 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN60N80P

EUR 37.59

1

IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 61 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 61 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.6mm, Lunghezza: 38.23mm, MPN: IXFN64N50P

EUR 23.35

1

IXYS MOSFET, canale N, 24 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 24 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN140N30P

EUR 29.84

1

IXYS MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 192 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 192 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,5 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN210N30P3

EUR 45.30

1

IXYS MOSFET, canale N, 18 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 18 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 680 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IXFN140N20P

EUR 23.90

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS Raddrizzatore a ponte controllabile SCR, FO F A, 6 Pin, 32A, 1600V, Montaggio a pannello

IXYS Raddrizzatore a ponte controllabile SCR, FO F A, 6 Pin, 32A, 1600V, Montaggio a pannello

IXYS Relè a stato solido LCB127S, Montaggio superficiale, 0,3 A, ca / cc, SP-NC

IXYS Relè a stato solido CPC1963GS, Montaggio superficiale, 0,5 A rms, c.a., SP-NC

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 40 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 24 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 24 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 40 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 192 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 18 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 40 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 390 mΩ, 24 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 390 mΩ, 24 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 53 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 53 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 61 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 24 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 192 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 18 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

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