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IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 960 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN100N50Q3

EUR 54.00

1

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN46N50L

EUR 55.15

1

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN46N50L

EUR 56.36

1

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN36N100

EUR 62.53

1

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 960 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN100N50Q3

EUR 57.88

1

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN36N100

EUR 66.57

1

IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN22N100L

EUR 53.27

1

IXYS MOSFET, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 960 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN44N100Q3

EUR 54.00

1

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 28 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 28 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 780 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN32N100Q3

EUR 63.08

1

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 37 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 37 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 780 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN44N80Q3

EUR 56.25

1

IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN22N100L

EUR 56.36

1

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 37 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 37 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 780 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN44N80Q3

EUR 52.84

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 62 A 500 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 62 A 500 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 100 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 800 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTN62N50L

EUR 67.28

3

IXYS MOSFET, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 960 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN44N100Q3

EUR 57.88

1

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 28 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 28 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 780 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN32N100Q3

EUR 56.25

1

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 800 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN62N50L

EUR 64.93

1

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 270 A, canale N, Y3 DCB

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 270 A, canale N, Y3 DCB, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Single, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 110 x 62 x 30mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 62mm, MPN: MDI200-12A4

EUR 83.42

1

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 270 A, canale N, Y3 DCB

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 270 A, canale N, Y3 DCB, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Single, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 110 x 62 x 30mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 62mm, MPN: MDI200-12A4

EUR 98.11

1

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 135 A, canale N, Y4 M5

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 135 A, canale N, Y4 M5, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Serie, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Dimensioni: 94 x 34 x 30mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 34mm, MPN: MII100-12A3

EUR 63.93

1

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 90 A, canale N, Y4 M5

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 90 A, canale N, Y4 M5, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Serie, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Dimensioni: 94 x 34 x 30mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 34mm, MPN: MII75-12A3

EUR 53.54

1

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 135 A, canale N, Y4 M5

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 135 A, canale N, Y4 M5, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Serie, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Dimensioni: 94 x 34 x 30mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 34mm, MPN: MII100-12A3

EUR 63.93

1

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 90 A, canale N, Y4 M5

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 90 A, canale N, Y4 M5, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Serie, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Dimensioni: 94 x 34 x 30mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 34mm, MPN: MII75-12A3

EUR 53.54

1

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 190A, 1600V, Y4 M6

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 190A, 1600V, Y4 M6, Configurazione diodi: Serie, Numero pin: 3, Caduta di tensione diretta massima: 1.15V, Numero di elementi per chip: 2, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, MPN: MDD172-16N1

EUR 56.13

1

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 165A, 1200V, Y4 M6

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 165A, 1200V, Y4 M6, Configurazione diodi: Serie, Diodo: Giunzione al silicio, Numero pin: 3, Caduta di tensione diretta massima: 1.3V, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 4.7kA, MPN: MMD142-12N1

EUR 53.72

1

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 190A, 1600V, Y4 M6

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 190A, 1600V, Y4 M6, Configurazione diodi: Serie, Numero pin: 3, Caduta di tensione diretta massima: 1.15V, Numero di elementi per chip: 2, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, MPN: MDD172-16N1

EUR 56.12

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 28 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 37 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 37 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 62 A 500 V, 4 broches

IXYS MOSFET, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 28 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 270 A, canale N, Y3 DCB

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 270 A, canale N, Y3 DCB

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 135 A, canale N, Y4 M5

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 90 A, canale N, Y4 M5

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 135 A, canale N, Y4 M5

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 90 A, canale N, Y4 M5

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 190A, 1600V, Y4 M6

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 165A, 1200V, Y4 M6

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 190A, 1600V, Y4 M6

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