ProfitSpring | B2B PPC Agency

Semelab MOSFET, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Semelab MOSFET, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 70 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 7V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.06mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, Numero di elementi per chip: 1, MPN: D1011UK

EUR 24.04

1

Semelab MOSFET, canale N, 30 A, Capacità, Montaggio a pannello

Semelab MOSFET, canale N, 30 A, Capacità, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 70 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 7V, Dissipazione di potenza massima: 220 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 24.76mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, Numero di elementi per chip: 1, MPN: D1017UK

EUR 113.50

1

Semelab MOSFET, canale N, 30 A, Capacità, Montaggio a pannello

Semelab MOSFET, canale N, 30 A, Capacità, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 70 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 7V, Dissipazione di potenza massima: 220 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 6.6mm, Lunghezza: 24.76mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, MPN: D1017UK

EUR 108.85

1

Semelab MOSFET, canale N, 30 A, Capacità, Montaggio a pannello

Semelab MOSFET, canale N, 30 A, Capacità, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 70 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 7V, Dissipazione di potenza massima: 220 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 24.76mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, Numero di elementi per chip: 1, MPN: D1017UK

EUR 89.18

1

Semelab MOSFET, canale N, 2 A, SOIC, Montaggio superficiale

Semelab MOSFET, canale N, 2 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 65 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 2.18mm, Lunghezza: 4.06mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, MPN: D2020UK

EUR 25.84

1

Semelab MOSFET, canale N, 2 A, SOIC, Montaggio superficiale

Semelab MOSFET, canale N, 2 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 65 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.06mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, Numero di elementi per chip: 1, MPN: D2020UK

EUR 26.37

1

Semelab MOSFET, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Semelab MOSFET, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 70 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 7V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 2.18mm, Lunghezza: 4.06mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, MPN: D1011UK

EUR 29.97

1

Semelab MOSFET, canale N, 2 A, SOIC, Montaggio superficiale

Semelab MOSFET, canale N, 2 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 65 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.06mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, Numero di elementi per chip: 1, MPN: D2020UK

EUR 20.73

1

Semelab MOSFET, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Semelab MOSFET, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 70 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 7V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.06mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, Numero di elementi per chip: 1, MPN: D1011UK

EUR 30.59

1

Semelab MOSFET, canale N, 2 A, DP, Montaggio a pannello

Semelab MOSFET, canale N, 2 A, DP, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 65 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 7V, Dissipazione di potenza massima: 29 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 5.08mm, Lunghezza: 18.92mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, MPN: D2002UK

EUR 78.85

1

Semelab MOSFET, canale N, 5 A, DP, Montaggio a pannello

Semelab MOSFET, canale N, 5 A, DP, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 70 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 7V, Dissipazione di potenza massima: 50 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 5.08mm, Lunghezza: 18.92mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, MPN: D1013UK

EUR 41.65

1

Semelab MOSFET, canale N, 200 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Semelab MOSFET, canale N, 200 mA, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 65 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 7V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 1.7mm, Lunghezza: 6.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: D2081UK

EUR 9.69

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Semelab MOSFET, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Semelab MOSFET, canale N, 30 A, Capacità, Montaggio a pannello

Semelab MOSFET, canale N, 30 A, Capacità, Montaggio a pannello

Semelab MOSFET, canale N, 30 A, Capacità, Montaggio a pannello

Semelab MOSFET, canale N, 2 A, SOIC, Montaggio superficiale

Semelab MOSFET, canale N, 2 A, SOIC, Montaggio superficiale

Semelab MOSFET, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Semelab MOSFET, canale N, 2 A, SOIC, Montaggio superficiale

Semelab MOSFET, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Semelab MOSFET, canale N, 2 A, DP, Montaggio a pannello

Semelab MOSFET, canale N, 5 A, DP, Montaggio a pannello

Semelab MOSFET, canale N, 200 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Powered by Cobiro