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Toshiba Diodo switching, Montaggio superficiale, 5A, 30V, USC

Toshiba Diodo switching, Montaggio superficiale, 5A, 30V, USC, Numero pin: 2, Numero di elementi per chip: 1, MPN: CUS08F30,H3F(T

EUR 0.04

1

Toshiba Diodo switching, Montaggio superficiale, 5A, 30V, USC

Toshiba Diodo switching, Montaggio superficiale, 5A, 30V, USC, Numero pin: 2, Numero di elementi per chip: 1, MPN: CUS10S30,H3F(T

EUR 0.06

1

Toshiba Diodo switching, Montaggio superficiale, 5A, 30V, USC

Toshiba Diodo switching, Montaggio superficiale, 5A, 30V, USC, Numero pin: 2, Numero di elementi per chip: 1, MPN: CUS10S30,H3F(T

EUR 0.05

1

Toshiba Diodo switching, Montaggio superficiale, 5A, 30V, USC

Toshiba Diodo switching, Montaggio superficiale, 5A, 30V, USC, Numero pin: 2, Numero di elementi per chip: 1, MPN: CUS08F30,H3F(T

EUR 0.05

1

Toshiba Transistor bipolare NPN, 3 Pin, SOT-23, 200 mA, 50 V, Montaggio superficiale

Toshiba Transistor bipolare NPN, 3 Pin, SOT-23, 200 mA, 50 V, Montaggio superficiale, Numero di elementi per chip: 1, MPN: TBC847B,LM(T

EUR 0.01

1

Toshiba Diodo de conmutación, CUS10S30,H3F(T, 5A, 30V, USC, 2-Pines

Toshiba Diodo de conmutación, 5A, 30V, USC, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: CUS10S30,H3F(T

EUR 0.05

1

Toshiba Diodo de conmutación, CUS08F30,H3F(T, 5A, 30V, USC, 2-Pines

Toshiba Diodo de conmutación, 5A, 30V, USC, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: CUS08F30,H3F(T

EUR 0.05

1

Toshiba Transistor bipolare NPN, 3 Pin, SOT-23, 200 mA, 50 V, Montaggio superficiale

Toshiba Transistor bipolare NPN, 3 Pin, SOT-23, 200 mA, 50 V, Montaggio superficiale, Numero di elementi per chip: 1, MPN: TBC847B,LM(T

EUR 0.01

1

Toshiba Diodo de conmutación, CUS10S30,H3F(T, 5A, 30V, USC, 2-Pines

Toshiba Diodo de conmutación, 5A, 30V, USC, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: CUS10S30,H3F(T

EUR 0.06

1

Toshiba Diodo de conmutación, CUS08F30,H3F(T, 5A, 30V, USC, 2-Pines

Toshiba Diodo de conmutación, 5A, 30V, USC, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: CUS08F30,H3F(T

EUR 0.04

1

Toshiba Diodo, Montaggio superficiale, 2A, 40V, S-FLAT

Toshiba Diodo, Montaggio superficiale, 2A, 40V, S-FLAT, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Schottky, Caduta di tensione diretta massima: 600mV, Numero di elementi per chip: 1, MPN: CRS20I40A

EUR 0.13

1

Toshiba Diodo, Montaggio superficiale, 2A, 40V, S-FLAT

Toshiba Diodo, Montaggio superficiale, 2A, 40V, S-FLAT, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Schottky, Caduta di tensione diretta massima: 600mV, Numero di elementi per chip: 1, MPN: CRS20I40A

EUR 0.11

1

Toshiba Diodo, Montaggio superficiale, 2A, 40V, S-FLAT

Toshiba Diodo, Montaggio superficiale, 2A, 40V, S-FLAT, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Schottky, Caduta di tensione diretta massima: 600mV, Numero di elementi per chip: 1, MPN: CRS20I40A

EUR 0.16

1

Toshiba Transistor bipolar, TBC847B,LM(T, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines

Toshiba Transistor bipolar, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: TBC847B,LM(T

EUR 0.01

1

Toshiba Transistor bipolar, TBC847B,LM(T, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines

Toshiba Transistor bipolar, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: TBC847B,LM(T

EUR 0.01

1

Toshiba Diodo, CRS20I40A, 2A, 40V Schottky, S-PLANO, 2-Pines 600mV

Toshiba Diodo, 2A, 40V Schottky, S-PLANO, 2-Pines 600mV, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: CRS20I40A

EUR 0.16

1

Toshiba Diodo, CRS20I40A, 2A, 40V, S-PLANO, 2-Pines

Toshiba Diodo, 2A, 40V, S-PLANO, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Diodo: Schottky, Caída de tensión directa máxima: 600mV, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: CRS20I40A

EUR 0.13

1

Toshiba Diodo, CRS20I40A, 2A, 40V, S-PLANO, 2-Pines

Toshiba Diodo, 2A, 40V, S-PLANO, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Diodo: Schottky, Caída de tensión directa máxima: 600mV, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: CRS20I40A

EUR 0.11

1

Toshiba MOSFET, canale N, 4,3e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 4,3e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM3K341R,LF(T

EUR 0.19

1

Toshiba MOSFET, canale N, 4,3e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 4,3e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM3K341R,LF(T

EUR 0.27

1

Toshiba MOSFET, canale P, 4e+008 Ω, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 4e+008 Ω, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tensione di soglia gate massima: 2V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM3J356R,LF(T

EUR 0.10

1

Toshiba MOSFET, canale P, 4e+008 Ω, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 4e+008 Ω, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tensione di soglia gate massima: 2V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM3J356R,LF(T

EUR 0.13

1

Toshiba MOSFET, canale N, 5.8 Ω, 82 A, SOP

Toshiba MOSFET, canale N, 5.8 Ω, 82 A, SOP, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TPH3R704PC, MPN: TPH3R704PC,LQ(S

EUR 0.42

1

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, DFN8x8

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, DFN8x8, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK099V65Z, MPN: TK099V65Z,LQ(S

EUR 2.95

1

Toshiba MOSFET, TPH3R704PC,LQ(S, N-Canal-Canal, 82 A, 40 V, 8-Pin, SOP TPH3R704PC Silicio

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 82 A, 40 V, 8-Pin, SOP TPH3R704PC Silicio, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5.8 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: TPH3R704PC,LQ(S

EUR 0.42

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba Diodo switching, Montaggio superficiale, 5A, 30V, USC

Toshiba Diodo switching, Montaggio superficiale, 5A, 30V, USC

Toshiba Diodo switching, Montaggio superficiale, 5A, 30V, USC

Toshiba Diodo switching, Montaggio superficiale, 5A, 30V, USC

Toshiba Transistor bipolare NPN, 3 Pin, SOT-23, 200 mA, 50 V, Montaggio superficiale

Toshiba Diodo de conmutación, CUS10S30,H3F(T, 5A, 30V, USC, 2-Pines

Toshiba Diodo de conmutación, CUS08F30,H3F(T, 5A, 30V, USC, 2-Pines

Toshiba Transistor bipolare NPN, 3 Pin, SOT-23, 200 mA, 50 V, Montaggio superficiale

Toshiba Diodo de conmutación, CUS10S30,H3F(T, 5A, 30V, USC, 2-Pines

Toshiba Diodo de conmutación, CUS08F30,H3F(T, 5A, 30V, USC, 2-Pines

Toshiba Diodo, Montaggio superficiale, 2A, 40V, S-FLAT

Toshiba Diodo, Montaggio superficiale, 2A, 40V, S-FLAT

Toshiba Diodo, Montaggio superficiale, 2A, 40V, S-FLAT

Toshiba Transistor bipolar, TBC847B,LM(T, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines

Toshiba Transistor bipolar, TBC847B,LM(T, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines

Toshiba Diodo, CRS20I40A, 2A, 40V Schottky, S-PLANO, 2-Pines 600mV

Toshiba Diodo, CRS20I40A, 2A, 40V, S-PLANO, 2-Pines

Toshiba Diodo, CRS20I40A, 2A, 40V, S-PLANO, 2-Pines

Toshiba MOSFET, canale N, 4,3e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 4,3e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 4e+008 Ω, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 4e+008 Ω, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 5.8 Ω, 82 A, SOP

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, DFN8x8

Toshiba MOSFET, TPH3R704PC,LQ(S, N-Canal-Canal, 82 A, 40 V, 8-Pin, SOP TPH3R704PC Silicio

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