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Vishay Siliconix MOSFET, SQD40031EL_GE3, P-Canal, 100 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SQD40031EL_GE3, P-Canal, 100 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, P-Canal, 100 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 136 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQD40031EL_GE3

EUR 0.69
1

Vishay Siliconix MOSFET, SQD40061EL_GE3, P-Canal, 100 A, 40 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SQD40061EL_GE3, P-Canal, 100 A, 40 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, P-Canal, 100 A, 40 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQD40061EL_GE3

EUR 0.69
1

Vishay Siliconix MOSFET, SQD40031EL_GE3, P-Canal, 100 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SQD40031EL_GE3, P-Canal, 100 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, P-Canal, 100 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 136 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQD40031EL_GE3

EUR 1.31
1

Vishay Siliconix MOSFET, SQD40061EL_GE3, P-Canal, 100 A, 40 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SQD40061EL_GE3, P-Canal, 100 A, 40 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, P-Canal, 100 A, 40 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQD40061EL_GE3

EUR 1.45
1

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, SUP60N06-12P-GE3, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220AB TrenchFET

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, SUP60N06-12P-GE3, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220AB TrenchFET

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220AB TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 19 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 100 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.51mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 33 nC a 10 V, MPN: SUP60N06-12P-GE3

EUR 0.75
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQM40022EM_GE3, N-Canal-Canal, 150 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQM40022EM_GE3, N-Canal-Canal, 150 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 150 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: SQM40022EM_GE3

EUR 1.54
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQM40016EM_GE3, N-Canal-Canal, 250 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQM40016EM_GE3, N-Canal-Canal, 250 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 250 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: SQM40016EM_GE3

EUR 3.04
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQM40016EM_GE3, N-Canal-Canal, 250 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQM40016EM_GE3, N-Canal-Canal, 250 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 250 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQM40016EM_GE3

EUR 3.04
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQM40022EM_GE3, N-Canal-Canal, 150 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQM40022EM_GE3, N-Canal-Canal, 150 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 150 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQM40022EM_GE3

EUR 1.54
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQM40016EM_GE3, N-Canal-Canal, 250 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQM40016EM_GE3, N-Canal-Canal, 250 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 250 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQM40016EM_GE3

EUR 1.60
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQM40022EM_GE3, N-Canal-Canal, 150 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQM40022EM_GE3, N-Canal-Canal, 150 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 150 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQM40022EM_GE3

EUR 1.08
1