Infineon MOSFET, canale N, 3,6 mΩ, 114 A, ME, Montaggio superficiale
Infineon MOSFET, canale N, 3,6 mΩ, 114 A, ME, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 6 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Tensione di soglia gate minima: 2.1V, Dissipazione di potenza massima: 96 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.35mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRF7580MTRPBF