IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello
IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 800 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN62N50L
IXYS MOSFET, IXTN62N50L, N-Canal-Canal, 62 A, 500 V, 4-Pin, SOT-227B Linear Simple Si
IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 62 A, 500 V, 4-Pin, SOT-227B Linear Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 800000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.23mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTN62N50L